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Infineon Technologies IPP03N03LA
| Artikelnummer: | IPP03N03LA |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
Infineon Technologies IPP03N03LA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPP03N03LA.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 55A, 10V Verlustleistung (max) 150W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tape & Box (TB) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7027 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) Grundproduktnummer IPP03N IPP03N03LA Einzelheiten PDF [English] IPP03N03LA PDF - EN.pdf -
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